1）BJT

2）可控硅器件

一个理想p-n-p晶体管中，已知各电流分量如下：$$I_{Ep}=3mA,I_{En}=0.01mA, $$

$$I_{Cp}=2.99mA,I_{Cn}=0.001mA$$, 请求出下列各值：(a) 发射极效率γ；(b)基区输运系数$$\alpha_{T}$$; (c) 共基电流增益$$\alpha_{0}$$。