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A.吸收；
B.发出
C.0
D.1
A.发出
B.吸收
A.负载电阻增大；
B.负载电阻减小
C.电源输出的电流增大
A.50mA；
B.2.5mA；
C.250mA。
；
A、三价；
B、四价
C、五价
D、六价。
A.A、发射结正偏，集电结反偏
B. B、发射结反偏，集电结反偏；
C.C、发射结正偏，集电结正偏；
D. D、发射结反偏，集电结正偏
A.A、导通状态
B.B、截止状态；
C. C、反向击穿状态；
D. D、任意状态。
A.A、PNP管，CBE
B.； B、NPN管，ECB
C. C、NPN管，CBE；
D.D、PNP管，EBC。
A.A、放大区；
B.
B、饱和区；
C. C、截止区；
D.D、击穿区
A.A、多子扩散而成
B. B、少子扩散而成；
C.； C、少子漂移而成；
D. D、多子漂移而成。
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子
A. 对
B. 错
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