单选题 晶体长大时，粗糙界面的晶体生长机制为（）。
A、连续生长机制；
B、二维晶核生长机制；
C、依靠螺型位错生长机制；
D、依靠刃型位错的生长机制。
单选题 均匀形核的形核率随过冷度的增大，呈（）的规律。
A、先增大后减小；
B、先减小后增大；
C、不断增大；
D、不断减小。
单选题 均匀形核和非均匀形核的主要区别在于（）。
A、形核驱动力不同；
B、形核位置不同；
C、长大方式不同；
D、临界晶核半径不同。
单选题 纯金属结晶时，（），晶粒越细小。
A、形核率越大，晶粒长大速率越大；
B、形核率越大，晶粒长大速率越小；
C、形核率越小，晶粒长大速率越大；
D、形核率越小，晶粒长大速率越小。
单选题 下列条件中晶胚一定不能成为稳定的晶核的是（）。
A、晶胚尺寸小于临界晶核半径；
B、晶胚尺寸等于临界晶核半径；
C、晶胚尺寸大于临界晶核半径，体系自由能大于零；
D、晶胚尺寸大于临界晶核半径，体系自由能小于零。
单选题 过冷度越大，均匀形核的（）。
A、临界晶核半径越大，形核功越大；
B、临界晶核半径越大，形核功越小；
C、临界晶核半径越小，形核功越大；
D、临界晶核半径越小，形核功越小。
单选题 纯金属结晶时，晶核形成的驱动力主要来自（）。
A、固相和液相的温度差；
B、固相和液相原子的扩散速度；
C、固相和液相的体积自由能差；
D、固相和液相的界面能差。
单选题 纯金属结晶时，临界晶核半径与过冷度（）。
A、呈反比；
B、呈正比；
C、平方呈反比；
D、平方呈正比。
2025-12-02
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