取一闭合积分回路$L$，使三根载流导线穿过$L$所围成的面，如图所示，现

单选题取一闭合积分回路$L$，使三根载流导线穿过$L$所围成的面，如图所示，现改变三根导线之间的相互间隔，但不越出积分回路，则[ ]

A、回路$L$内的$\sum I$不变,$L$上各点的$B$不变

B、回路$L$内的$\sum I$不变,$L$上各点的$B$改变

C、回路$L$内的$\sum I$改变,$L$上各点的$B$不变

D、回路$L$内的$\sum I$改变,$L$上各点的$B$改变

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相关试题

单选题如图所示，$$AA'$$及$$BB'$$为两个正交的圆形线圈，$$AA'$$的半径为$$R$$，通电流$$I$$，$$BB'$$的半径为$$2R$$，通电流$$2I$$，两线圈的公共中心$$O$$点磁感应强度为[ ]

A、$$\frac{\mu_0 I}{2R}$$

B、$$\frac{\mu_0 I}{R}$$

C、$$\frac{\sqrt{2}\mu_0 I}{2R}$$

D、0

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单选题长直导线通以电流$$I$$，设弯折成图所示形状，则圆心$$O$$点的磁感应强度为[ ]

A、$$\frac{\mu_0 I}{2\pi R} + \frac{\mu_0 I}{4R}$$

B、$$\frac{\mu_0 I}{4\pi R} + \frac{\mu_0 I}{8R}$$

C、$$\frac{\mu_0 I}{2\pi R} + \frac{\mu_0 I}{8R}$$

D、$$\frac{\mu_0 I}{4\pi R} + \frac{\mu_0 I}{4R}$$

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单选题磁场的高斯定理$$\oint_S \vec{B}\cdot d\vec{S} = 0$$，说明[ ]

A、穿入闭合曲面的磁感应线的条数必然等于穿出的磁感应线的条数

B、穿入闭合曲面的磁感应线的条数不等于穿出的磁感应线的条数

C、一根磁感应线可以终止在闭合曲面内

D、一根磁感应线不可能完全处于闭合曲面内

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单选题四条相互平行的载流长直导线电流强度均为$$I$$，如图放置。设正方形的边长为$$2a$$，则正方形中心的磁感应强度为[ ]

A、$$B = \frac{2\mu_0}{\pi a}I$$

B、$$B = \frac{2\mu_0}{\sqrt{2}\pi a}I$$

C、$$B = 0$$

D、$$B = \frac{\mu_0}{\pi a}I$$

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单选题在圆形电流的平面内取一同心圆形环路，由于环路内无电流穿过，所以$$\oint_L \vec{B}\cdot d\vec{l} = 0$$，由此可知[ ]

A、圆形环路上各点的磁场强度为零

B、圆形环路上各点的磁场强度方向垂直于环路平面

C、圆形环路上各点的磁场强度方向指向圆心

D、圆形环路上各点的磁场强度方向为该点的切线方向

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单选题一无限长直圆柱体，半径为$$R$$，沿轴向均匀流有电流，如图所示，设圆柱体内($$rR$$)感应强度大小为$$B_2$$，则有[ ]

A、$$B_1$$、$$B_2$$均与$$r$$成正比

B、$$B_1$$、$$B_2$$均与$$r$$成反比

C、$$B_1$$与$$r$$成反比,$$B_2$$与$$r$$成正比

D、$$B_1$$与$$r$$成正比,$$B_2$$与$$r$$成反比

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单选题边长为$$L$$的一个正方形线圈中通有电流$$I$$，则线圈中心的磁感应强度的大小将[ ]

A、与$$L$$成正比

B、与$$L$$成反比

C、与$$L$$无关

D、与$$L^3$$成正比

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单选题对于安培环路定律$$\oint_L \vec{B}\cdot d\vec{l} = \mu_0 \sum I$$，在下面说法中正确的是[ ]

A、$$\vec{B}$$只是穿过闭合环路的电流所激发,与环路外的电流无关

B、$$\sum I$$是环路内、外电流的代数和

C、安培环路定律只在具有高度对称的磁场中才成立

D、只有磁场分布具有高度对称性时,才能用它直接计算磁场强度的大小

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